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王占国，1938年生，镇平县人，中国半导体材料专家，中国科学院院士。1954~1957年在河南省南阳第二高中学习，1962年毕业于天津南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，先后任实习研究员和助理研究员，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。在中国科学院半导体研究所，他取得了多项开拓性的研究成果。他独自研制了高阻静电计及其测试系统，解决了低温高阻测量问题，在国内首先实现了20～400K硅的变温霍尔系数测试；在对人造卫星用硅太阳能电池的辐照效应研究中，发现NP电池比PN电池抗电子辐照能力好百倍以上，从而改变了651任务(人造卫星代号)设计院的决定，定型投产产品由PN电池改为NP电池。他在任中国人民解放军第14研究院辐照实验组业务组长期间，对该院研制的电子材料、器件和集成电路进行了系统的电子、质子、中子和γ射线辐照效应的研究，将其实验结果，与同事一起汇编成册。

王占国，1938年生，镇平县人，中国半导体材料专家，中国科学院院士。1954~1957年在河南省南阳第二高中学习，1962年毕业于天津南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，先后任实习研究员和助理研究员，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。在中国科学院半导体研究所，他取得了多项开拓性的研究成果。他独自研制了高阻静电计及其测试系统，解决了低温高阻测量问题，在国内首先实现了20～400K硅的变温霍尔系数测试；在对人造卫星用硅太阳能电池的辐照效应研究中，发现NP电池比PN电池抗电子辐照能力好百倍以上，从而改变了651任务(人造卫星代号)设计院的决定，定型投产产品由PN电池改为NP电池。他在任中国人民解放军第14研究院辐照实验组业务组长期间，对该院研制的电子材料、器件和集成电路进行了系统的电子、质子、中子和γ射线辐照效应的研究，将其实验结果，与同事一起汇编成册。

王占国，1938年生，镇平县人，中国半导体材料专家，中国科学院院士。1954~1957年在河南省南阳第二高中学习，1962年毕业于天津南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，先后任实习研究员和助理研究员，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。在中国科学院半导体研究所，他取得了多项开拓性的研究成果。他独自研制了高阻静电计及其测试系统，解决了低温高阻测量问题，在国内首先实现了20～400K硅的变温霍尔系数测试；在对人造卫星用硅太阳能电池的辐照效应研究中，发现NP电池比PN电池抗电子辐照能力好百倍以上，从而改变了651任务(人造卫星代号)设计院的决定，定型投产产品由PN电池改为NP电池。他在任中国人民解放军第14研究院辐照实验组业务组长期间，对该院研制的电子材料、器件和集成电路进行了系统的电子、质子、中子和γ射线辐照效应的研究，将其实验结果，与同事一起汇编成册。

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